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三星宣布大规模生产使用GAA技术的3纳米芯片 性能将提高30%

2022-06-23 11:28:24 来源:游侠网

根据韩联社报道,三星电子预计将在下周宣布,他们将开始大规模生产3纳米芯片,而下一代的3纳米芯片将使用GAA技术。

三星官方介绍称,与现有的FinFET工艺相比,新的“GAA(Gate-All-Around)”技术将使芯片面积减少45%,同时性能提高30%,功耗降低50%。

三星与台积电在芯片制造领域一直都保持着激烈的竞争。全球最大的合约芯片制造商台积电表示,它将在今年下半年开始大规模生产3纳米芯片。而此前三星表示,其2纳米工艺节点正处于早期开发阶段,计划在2025年实现量产。

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